Yarıiletken için yerel olmayan kinetik enerji yoğunluk fonksiyonelinin incelenmesi
Özet
Bu tezde
silisyum, germanyum ve ikili yarıiletken bileşiklerin taban durumunda
örgü sabiti, bant aralığı , hacim modülü farklı pseudopotansiyeller kullanılarak
hesaplanmış ve çıkan sonuçlar la karşılaştırılmıştır. L iteratür değerlerine en yakın sonucu
veren pseudopotansiyel seçilerek bant yapısı ve durum yoğunluğu hem silisyum ve
germanyum için hem d e ikili yarıiletken bileşikler , InAs, GaAs , GaP ) için
çizilmiştir. Hesaplamalar Quantum Espresso adlı bir modelleme programında Düzlem
Dalga Öz Uyumlu Alan bileşeni kullanılarak yapılmıştır. Program sonucundan elde
edilen değerler lite ratür değerleriyle karşılaştırılmıştır. Seçilen parametrele rin
hesaplanan sonuçlar üzerinde etkisi olduğu görülmüştür. In this thes
is, the lattice constant, band gap and bulk modulus of th e
semicondu ctor materials like silicon, g ermanium and binary semiconductors (InAs, GaAs, GaP) are calculated by using different pseudopotentials and and the results
are compared to the calculated In addition to that by choosing the best fit
pseudo potential given nearest value the band structure and the density of state are
plotted both for semiconductors silicon and g e rmanium as well as for semiconductor
binary alloys (InAs, GaAs). The calculations were made using the Plane
Wa ve Self Consistent Field component in a modeling program called Quantum
Espresso. The results obtained from the program were compared with the literature
values and it was observed that the parameters used had an effect on the calculated
results
Koleksiyonlar
- Tez Koleksiyonu [1287]