ANTİSİMETRİK AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs KUANTUM KUYUSUNDA SICAKLIK VE HİDROSTATİK BASINÇ ETKİLERİ

Yükleniyor...
Küçük Resim

Tarih

2017

Dergi Başlığı

Dergi ISSN

Cilt Başlığı

Yayıncı

Trakya Üniversitesi

Erişim Hakkı

info:eu-repo/semantics/openAccess

Özet

Bu çalışmada sıcaklık ve hidrostatik basınç etkisialtında simetrik AlxGa1-xAs/GaAs/ AlxGa1-xAsve antisimetrik AlxLGa1-xLAs/GaAs/ AlxRGa1-xRAskuantum kuyularında engel yükseklik oranlarının etkileri, etkin kütleyaklaşımında varyasyonel yöntem kullanılarak çalışıldı. Taban durum yabancıatom enerjileri, yabancı atom enerjisisnin dönüm noktaları ve  taban durum normalize edilmiş bağlanmaenerjileri hesaplandı. Sıcaklık, hidrostatik basınç, farklı engel yüksekliklerive yabancı atom konumunun, taban durum yabancı atom enerjisini ve yabancı atomenerjisinin dönüm noktalarını önemli ölçüde değiştirdiği gösterildi.
In this work, we studied the effects of barrier height ratio VL/VR on symmetric AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAsand asymmetric AlxLGa1-xLAs/GaAs/AlxRGa1-xRAs quantum wells under the presence of hydrostatic pressure andtemperature by using variational method with in the effective mass approximation. We calculated ground state impurityenergies, impurity energy turning points and ground state normalized binding energies as functions of the impurity position.We observed that the ground state impurity energies and impurity energy turning points depends strongly on hydrostaticpressure, temperature, different barrier heights and impurity positions.

Açıklama

Anahtar Kelimeler

Dönüm noktası, Sıcaklık, Hidrostatik basınç, Bağlanma enerjisi, Turning point, Temperature, hydrostatic pressure, Binding energies, Normalized binding energies

Kaynak

Trakya Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi

WoS Q Değeri

Scopus Q Değeri

Cilt

18

Sayı

2

Künye