Yazar "Karakulak, Ertuğrul" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi
    (2018) Karakulak, Ertuğrul; Mutlu, Reşat; Uçar, Erdem
    Memristörler, doğrusal ve zamanla değişmeyen devre elemanları kullanılarak yapılamayacak bazı analog uygulamalar için büyük bir potansiyel vaat eden non-lineer devre elemanlarıdır. Bilimsel literatürde bazı memristör tabanlı filtreler ve yükselteçler gibi analog uygulamalar incelenmiştir. Eviren ve evirmeyen memristor tabanlı yükselteçler de literatürde incelenmiştir. Bu çalışmada, literatürde bir ilk olarak, hem negatif hem de pozitif kazanç verebilen, opamplı ve memristör tabanlı bir devre önerilmiştir.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Tümleyen bağlı rezistif anahtarların bellekler ve yapay sinir ağlarında kullanımı
    (Trakya Üniversitesi, 2016) Karakulak, Ertuğrul; Uçar, Erdem; Mutlu, Reşat
    Rezistif anahtarlar nano boyutta memristif karakteristik gösteren sistemlerdir ve transistör tabanlı kalıcı belleklerin yerine adaydırlar. Bu tip bellekler ile ilgili temel araştırma başlıkları yeni malzemelerin bellekler için kullanımı, okuma yazma yöntemleri, okuma marjininin arttırılması ve kaçak akımların azaltılması şeklindedir. Tümleyen bağlı rezistif anatarlar ise kaçak akımları azaltma maksatlı önerilmiş bir rezistif bellek hücresi çeşididir. Bu tez çalışmasında tümleyen bağlı rezistif anahtarların dinamik modeli yapılmış ve okunan ve durumu tahrip olan bellek hücresini ilk durumuna getirecek şekilde onaran durum makinesi tasarlanmış ve başarımı simulasyonlar ile gösterilmiştir. Ayrıca çok katmanlı tümleyen bağlı rezistif belleklerin kaçak akım ve okuma marjini analizleri yapılmış, eşdeğer devre modelleri ortaya konmuştur. Son olarak tümleyen bağlı rezistif anahtarlar yapay sinir ağları için önerilmiştir. Perseptronların ağırlık faktörlerini tümleyen bağlı rezitif anahtar yapılı ağırlık faktörü devreleri ile uygulanması önerilmiştir. Yine perseptronlar için negatif kazançları uygulamaya imkan veren bir devre yapısı da önerilmiş ve tüm bunların başarımları simülasyonlar ile ortaya konmuştur.