Yazar "Erdoğan, İlhan" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 3 / 3
  • Küçük Resim
    Öğe
    Düşük boyutlu yapılarda yabancı atom problemi ve polarizasyon
    (Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2003) Erdoğan, İlhan; Akbaş, Hasan
    Bu çalışmada, kuantum Jgryularına ve tellerine hapsedilen bir elektron incelenmiştir. Kuantum kuyusu ve teli içinde hapsedilmiş elektrona yabancı atomun ve dışjelektrik alanın etkisi araştırılmıştır. Kuyu ve telde, elektrik alanın yokluğunda, ejıe4i-J^arJarımn hapsedici etkisi özellikle elektronun polarizasyonu(self polarizasyonu) olarak ele alınmıştır. Ssif- polarizasyon yabancı atomun konumuna, enerji duvarlarının büyüklüğüne ve düşük boyutlu yapıların boyutlarına bağlı olarak temel ve birinci uyarılmış durumlar için hesaplanmıştır. Elde edilen pozitif ve negatif self polarizasyonlar normal polarizasyon değerleri ile karşılaştırılmıştır. İlgili Sçhrödinger denklemlerin çözümünde Airy diferansiyel denklem çözümleri ve yaklaşık çözümlerde varyasyon yöntemi kullanılmıştır. In this work, an electron confined in quantum wells and quantum well-wires is considered. The effects of an external electric field and impurity on such an electron are investigated. In the wells and well-wires, the confining effect of energy walls the polarization of the electron(self polarization) is of special interest in the absence of electric field. The self polarization which depends on the impurity location, the magnitude of the energy walls and the dimension of the low dimensional structure is calculated for the ground state and the first excited state. The polarizations obtained as negative and positive is compared to normal polarization values. Solution of the Airy Differentional Equation and the approximate variational solution are employed in solving corresponding Schrödinger equation.
  • Küçük Resim
    Öğe
    ‘’Ga1-xAlxAs/AlAs tabanlı kuantum kuyularına hapsedilmiş olan elektronun 1s ve 2s durumu : nümerik hesaplamalar
    (Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021) Çetinkaya, Kader; Erdoğan, İlhan
    Bu çalışmada, Ga1-xAlxAs / GaAs malzemeleri ile oluşturulan kuantum kuyuları ele alınmıştır. Bu tür kuyulara hapsedilen bir elektronun, taban durum ve uyarılmış durum dalga fonksiyonları ile enerjileri hesaplanmıştır. Ele alınan malzeme ile oluşturulan kuantum kuyularına düzgün dış elektrik alan uygulanmış ve daha sonra yabancı atomun(safsızlık) ve hidrostatik basıncın etkisine bakılmıştır. Etkin kütle yaklaşımı göz önüne alınmış ve varyasyon yöntemi kullanılarak yaklaşık çözümler yapılmıştır. Literatür taraması yapıldıktan ve gerekli bilgiler elde edildikten sonra Fortran dilinde yazdığımız programlarla nümerik hesaplamalar yapılmış ve grafikler çizilmiştir. Hesaplamalar için yazılan Fortran programları da tezde sunulmuştur. Sonuç tartışma bölümünde, bulunan sonuçlar değerlendirilmiştir. Kuantum kuyularında hapsedilen bir elektronun enerjilerine, dış elektrik alanın, yabancı atomun konumunun ve hidrostatik basıncın etkisi gözlemlenmiştir.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Kuantum kuyularında elektron ve deşiğe elektrik alanın etkisi
    (1997) Erdoğan, İlhan; ;
    Kuantum kuyusu içindeki taşıyıcı elektronların ve boşlukların (değişiklerin) elektronik özelliklerini düzgün elektrik alan altında incelemeyi, elektron ve deşiklerin yabancı bir atomla etkileştiğinde nasıl davrandığının araştırılmasını amaçlayan bir çalışmadır. Bunun yanında elektron-ağır deşik eksitonunun bağlama enerjisinin hesaplanması da bu çalışmanın amaçlarındadır. Bu incelemeler varyasyon yöntemi ile yapılmıştır. Çalışmada izlenen yol aşağıdaki gibidir. I. Bölümde; yaklaşık çözüm yöntemleri ve tek boyutlu sistemler ile yabancı atom problemine hazırlık olarak bir ön bilgi verildi. Ayrıca eksitonlar hakkında bilinen genel bilgiler gözden geçirildi. II. Bölümde; önceki bölümdeki ön bilgiler göz önünde bulundurularak nümerik hesaplar yapıldı. Elektrik alan altındaki sonlu ve sonsuz kuantum kuyusu içindeki elektronun özellikleri incelendi. Sonlu simetrik potansiyel kuyusunda da deşikler için nümerik hesaplar yapıldı. Yabancı atomun elektron ve deşik üzerine etkisi nümerik olarak hesaplandı. Elektron ve deşiğe uygulanan düzgün elektrik alanın etkileri araştırıldı. Daha sonra ile elektron-ağır deşik eksitonunun bağlanma enerjisi hesaplandı (Varyasyon Yöntemiyle). III.Bölümde; kullandığımız varyasyon yöntemiyle II. Bölümde yapılan nümerik hesapların sonuçlarını göstermek için grafikler çizildi. Bu grafiklerin tamamı bilgisayarda fortran-77 dilinde yazılan ve çalıştırılan programlarla çizilmiştir. Bu çalışmada çıkarılan sonuçlarıda tezin son kısmında toparladık.