Yazar "Özkişi, Harun" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 3 / 3
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Fotovoltaik Hücrenin Verimliliğinin Yapay Sinir Ağı İle Tahmini(2017) Özkişi, Harun; Topaloğlu, MuratTeknolojinin hızla gelişmesi insan hayatındaki günlük elektronik eşya kullanımını arttırmıştır. Bu durum dünya üzerindeki enerji tüketiminde önemli bir artışa sebep olmuştur. Enerji tüketiminin artması enerji sorununu ortaya çıkarmış ve bu sorunu aşmak için farklı enerji kaynaklarına yönelimler başlamıştır. Fosil yakıtların çevreye zarar vermesi ve tükenebilir olması alternatif enerji kaynaklarına yönelime yol açmıştır. Bu sorunu ortadan kaldırmak için güneş enerjisinin elektrik enerjisine çevirme fikri ortaya atılmıştır. Bu fikirden yola çıkılarak birçok uygulama hayata geçirilmiş ve bu uygulamalar hayatımızda yaygın bir hal almıştır. Fotovoltaik hücre ile yapılan bu uygulamaların gerilim elde etme açısından verimli olması oldukça önemli bir konu olarak karşımıza çıkmaktadır. Bu çalışmanın amacı, fotovoltaik hücrenin verimliliğini çevresel etkiler göz önünde bulundurarak Yapay Sinir Ağı teknolojisi ile tahmin etmektir. Bu tahmin için fotovoltaik hücrenim gerilim değerine karşılık rüzgâr hızı, sıcaklık, nem ve hücrenin açısı gibi çevresel faktörler dikkate alınmıştır. Veriler her bir faktör ve gerilim değerleri için ölçüm yapan bir düzenek ile belli bir zaman aralığı boyunca kayıt altına alınmıştır. Yapılan ölçümler sonucu elde edilmiş olan veriler ile panelin verimliliğini ortaya koyan bir Yapay Sinir Ağı modellenmiştir. Bu model fotovoltaik hücrenin verimlilik değerini yüzdelik olarak iyi bir şekilde tahmin etmektedir. Ayrıca ağın eğitim ve test işlemlerindeki performans ölçütlerinin oldukça iyi olduğu görülmektedir. Bu durum verimlilik tahmini için modellenmiş olan ağın tahmin yeteneğinin yüksek olduğunu göstermektedirÖğe III-V Yarıiletkenlerinden oluşan Heteroyapların Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi ile İncelenmesi(2010) Özkişi, Harun;Bu çalışmada (001) yönünde tek, ikişer ve üçer katmanlı olarak modellenmiş AlAs/GaAs bulk hetero yapıların, taban durumundaki örgü sabiti, toplam enerjisi ve ortalama etkin potansiyeli, yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmiştir. Sistem z ekseni boyunca optimize edilerek bu bulk yapının en kararlı durumu elde edilmiştir. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılarak yapılmıştır. Ayrıca AlAs/GaAs hetero bulk yapısındaki arayüzeyde etkin potansiyel farkı olduğu gözlenmiştir. Bundan dolayı bu sistemler elektronik ve opto-elektronik aletlerin yapımında önemlidir.Öğe Katkılanmış yarıiletken nanoyapıların geometrik ve elektronik özellikleri(Trakya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2016) Özkişi, Harun; Dalgıç, SeyfettinSon yıllarda nanoyapılar ve nanoyapı tabanlı teknolojilerin bilimsel etkisi gün geçtikçe artmaktadır. Özellikle yarıiletken nanoyapıların elektronik özelliklerinde, farklı boyutlarda modelleme ve katkılama ile değişiklikler yapma düşüncesi önemli bir araştırma konusudur. Teknolojik aletlerin üretilmesinde ve geliştirilmesinde yarıiletken nanoyapıların kullanılması araştırmanın önemini arttırmaktadır. Bu tezde, farklı geometrik yarıçaplarda modelleme, heteroyapı oluşturma ve farklı konumlarda katkılama gibi yöntemlerin yarıiletken nanoyapıların elektronik özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Bu incelemedeki amaç, teknolojik açıdan avantajlı ve kullanışlı yarıiletken malzemeler elde etmektir. Yapılan toplam enerji hesaplarında yoğunluk fonksiyonel teorisi tabanlı düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılmıştır. Ayrıca elektronik özellikleri belirlemek için bant yapı ve düzlemsel potansiyel hesaplamaları yapılmıştır. Bu hesaplamalar sonucunda nanoyapılarla ilgili ortaya konan geometrik ve elektronik özelliklerin yarıiletken teknolojisinin gelişimine katkıda bulunması amaçlanmaktadır.
