Tınlaşım tünelleme diyotlarında potansiyel geometrisi etkileri

Abstract

Dikdörtgen ve gaussian kesitli potansiyel engel ve kuyu kombinasyonundan oluşan tınlaşım geçişli diyotların elektronik özellikleri tam çözüm yöntemleri ve sayısal çözümleme yöntemleri kullanılarak hesaplanmıştır. Engel-kuyu sayıları ve potansiyel biçimleri ile farklılaştırılmış çeşitli örnekler için akım-gerilim karakteristikleri elde edilmiştir. Bu sonuçlara göre de tınlaşım diyodlarının nasıl düzenlenmesi gerektiği konusunda öneriler sunulmuştur.

The electronic properties of some resonance tunneling diodes, which are the combination of rectangular and Gaussian shaped quantum barriers and wells, have been investigated by using exact solution methods and numerical methods. The current-voltage characteristics for the diode samples, which are diversified by barrier and well numbers in the structure and their potential shapes, have been exhibited. Accordingly, the suggestions are given for the design of the sort of the diodes.